双重预测PI算法在单晶硅生长炉中的应用
作者:
刘秀
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任正云
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李春阳
关键词:
单晶硅生长炉
直径
双重控制
双重预测PI
摘要：
直拉法单晶硅直径的控制难点在于过程对象的大惯性、大滞后、非线性及多干扰。采用双重控制思想,快则治标,主控制器快速调整拉晶速度,快速影响直径;缓则治本,副控制器平稳调整液面温度,保证产品质量。针对对象的惯性和滞后,结合预测PI控制算法,提出双重预测PI控制算法。算法简洁,结果表明,采用双重预测PI控制算法,能够协调控制拉晶速度和液面温度,兼顾系统快速性和产品质量。特别在液面温度的控制上,该算法可以提高系统的工作频率,平稳且快速调整液面温度。控制系统运行稳定,该算法具有实用价值。
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